1.2.3.2. MLC(Multi Level Cell)

与SLC相对应的,就是单个存储单元,可以存储多个位,比如2位,4位等。其实现机制,说起来比较简单,就是通过控制内部电荷的多少,分成多个阈值,通过控制里面的电荷多少,而达到我们所需要的存储成不同的数据。比如,假设输入电压是Vin=4V(实际没有这样的电压,此处只是为了举例方便),那么,可以设计出2的2次方=4个阈值, 1/4 的Vin=1V,2/4的Vin=2V,3/4的Vin=3V,Vin=4V,分别表示2位数据00,01,10,11,对于写入数据,就是充电,通过控制内部的电荷的多少,对应表示不同的数据。

对于读取,则是通过对应的内部的电流(与Vth成反比),然后通过一系列解码电路完成读取,解析出所存储的数据。这些具体的物理实现,都是有足够精确的设备和技术,才能实现精确的数据写入和读出的。

单个存储单元可以存储2位数据的,称作2的2次方=4 Level Cell,而不是2 Level Cell,关于这点,之前看Nand flash的数据手册(datasheet)的时候,差点搞晕了。

同理,对于新出的单个存储单元可以存储4位数据的,称作 2的4次方=16 Level Cell。