1.2.1.1. Flash的硬件实现机制

Flash的内部存储是MOSFET,里面有个悬浮门(Floating Gate),是真正存储数据的单元。

在Flash之前,紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM,就已经采用了Floating Gate存储数据这一技术了。

图 1.1. 典型的Flash内存单元的物理结构

典型的Flash内存单元的物理结构


数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少,取决于图中的外部门(external gate)所被施加的电压,其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示,以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示,因此,Flash的存储单元的默认值,不是0(其他常见的存储设备,比如硬盘灯,默认值为0),而是1,而如果将电荷释放掉,电压降低到一定程度,表述数字0。