1.2.10. Nand Flash的一些典型(typical)的特性

  1. 页擦除时间是200us,有些慢的有800us
  2. 块擦除时间是1.5ms
  3. 页数据读取到数据寄存器的时间一般是20us
  4. 串行访问(Serial access)读取一个数据的时间是25ns,而一些旧的Nand Flash是30ns,甚至是50ns
  5. 输入输出端口是地址和数据以及命令一起multiplex复用的
  6. Nand Flash的编程/擦除的寿命:即,最多允许的擦除的次数

    以前老的Nand Flash,编程/擦除时间比较短,比如K9G8G08U0M,才5K次,而后来的多数也只有10K=1万次,而现在很多新的Nand Flash,技术提高了,比如,Micron的MT29F1GxxABB,Numonyx的 NAND04G-B2D/NAND08G-BxC,都可以达到100K,也就是10万次的编程/擦除,达到和接近于之前常见的Nor Flash,几乎是同样的使用寿命了。

  7. 封装形式

    48引脚的TSOP1封装 或 52引脚的ULGA封装